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物相:无定形二氧化硅(熔融球形)
SiO₂纯度:99.5%~99.99%(电子级≥99.9%)
球化率:工业主流≥93%,高端电子级≥96%
莫氏硬度:6~7
粒径区间:0.5μm~40μm(可分级、复配粒径实现密堆积)
表面类型:亲水原生粉 / 硅烷改性疏水粉
球形光滑无尖角
树脂体系粘度更低,填充率更高,高添加量下依然流动性优良;大幅减少螺杆、模具、钻头磨损。
低应力、低翘曲
颗粒受力均匀,固化后内应力小,抑制环氧制品高低温循环开裂、基板翘曲。
低热膨胀系数(CTE)、高绝缘
降低环氧树脂热膨胀,匹配芯片 / 覆铜板基材;介电性能优异,适合高频电子材料。
分散性好
搭配硅烷表面改性后,在环氧、聚氨酯、有机硅体系分散稳定。

